BSM50GB120DLC transistor IGBT module de puissance 1 pièce

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Description de BSM50GB120DLC transistor IGBT module de puissance 1 pièce

Composant Semi-conducteur pour Électronique de Puissance

Le choix du BSM50GB120DLC s'avère stratégique pour les ingénieurs concevant des circuits de commutation à moyenne fréquence. Ce module IGBT Dual combine les avantages d'une commande par tension simple avec la capacité de conduction élevée propre aux transistors bipolaires.

Caractéristiques Électriques Globales

Ce composant électronique propose une configuration en demi-pont optimisée pour limiter les inductances parasites. Les caractéristiques clés incluent une isolation robuste entre la semelle en cuivre et les puces de silicium, évitant ainsi les risques de court-circuit au châssis.

Tableau des Performances

Paramètre CléLimites Maximales
Tension VCE maximum1200 Volts
Courant collecteur continu (25°C)115 Ampères
Courant collecteur nominal50 Ampères
Dissipation totale de puissance460 Watts

Scénarios d'Usage Électrotechnique

Ce matériel trouve sa place au sein des onduleurs de soudage, des alimentations à découpage de forte puissance et des systèmes de contrôle pour moteurs électriques. Sa robustesse intrinsèque en fait un élément de choix pour la mise à niveau d'installations électriques d'ancienne génération.

Détails

OPC s3_DB0GT7HYM9Z
Référence produit s3_DB0GT7HYM9Z
Marque
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Avis le mieux noté
5/5
J. Mclachlan
Publié le 15/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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